Транзистор IRF3205PBF - сучасний, високоефективий, потужний MOSFET транзистор з індукованою конструкцією затвору (N). Цей транзистор є відмінним вибором для широкого спектру електронних пристроїв та систем, де потрібне ефективне керування струмом.

 

IRF3205PBF може розсіювати до 200 Вт максимальної потужності (Pd), що дозволяє йому ефективно працювати навіть у вимогливих умовах. З гранично допустимою напругою стік-витік (|Uds|) 55 В та гранично допустимою напругою затвор-стік (|Ugs|) 20 В, цей транзистор забезпечує надійну роботу в широкому діапазоні напруг.

 

З пороговою напругою включення (|Ugs(th)|) 4 В, IRF3205PBF дозволяє легко та швидко керувати струмом через нього. З максимально допустимим постійним струмом стоку (|Id|) 110 А, він забезпечує потужну та стабільну електрононавантажувальну здатність для вашого обладнання.

 

З максимальною температурою каналу (Tj) 175 °C, IRF3205PBF є надійним транзистором, стійким до високих температур. Це дозволяє йому працювати ефективно навіть у вимогливих умовах.

 

З загальним зарядом затвору (Qg) 146 нК, часом наростання (tr) 101 нс та вихідною ємністю (Cd) 781 пФ, IRF3205PBF забезпечує швидке та точне перемикання станів, що є важливим для багатьох електронних присроїв та систем.

 

Зі значенням опору стік-витік відкритого транзистора (Rds) 0.008 Ом, IRF3205PBF пропонує низький внутрішній опір, що дозволяє зменшити втрати енергії та підвищити ефективність системи.

 

Транзистор IRF3205PBF є прекрасним вибором для конструювання підсилювача чи інвертора. 

Оберіть транзистор IRF3205PBF і отримайте надійну та потужний електронний компонент для вашого проекту. Його високі технічні характеристики та надійна продуктивність забезпечать бездоганну роботу вашого обладнання.